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Renesas發(fā)布用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的電源IC

[ 07-7-18 17:43 ]  太平洋汽車網(wǎng)  

  瑞薩科技公司今天宣布,推出用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源控制ICR2S25402FT。樣品將從2007年9月開始在日本交付。

  R2S25402FT是瑞薩科技第一個(gè)專門為汽車導(dǎo)航系統(tǒng)開發(fā)的電源IC,可以為執(zhí)行主要汽車導(dǎo)航處理的處理器和DRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等,以及DRAM終端電阻電壓電路提供電源電路,這些功能都集成在一個(gè)采用64引腳QFP封裝的芯片中。

  R2S25402FT的主要功能概括如下。

 。1)通過高度集成,與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比,安裝面積大約減少了20%

  R2S25402FT為處理器和DRAM電源控制電路,以及作為DRAM終端電阻電源電路的線性穩(wěn)壓器提供了單芯片實(shí)現(xiàn)方法。這些電路以前需要組合幾個(gè)器件,現(xiàn)在可以使用單個(gè)R2S25402FT實(shí)現(xiàn),有助于減少元件使用數(shù)量。

  此外,與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比,采用64引腳QFP封裝可使安裝面積減少大約20%,可以使電源電路變得更小。

 。2)有助于降低系統(tǒng)成本

  作為DRAM終端電阻電源集成的內(nèi)部線性穩(wěn)壓器可以進(jìn)一步減少元件數(shù)量,有助于省去以前必要的元件,如電壓降壓型線圈、平流濾波電容器和驅(qū)動(dòng)FET,進(jìn)而削減

  系統(tǒng)成本。

 。3)當(dāng)引擎停止工作時(shí),汽車導(dǎo)航系統(tǒng)可以進(jìn)入DRAM備份模式

  R2S25402FT采用了一種DRAM備份模式*1。在汽車導(dǎo)航系統(tǒng)中,在引擎關(guān)閉之前,地圖信息等必須進(jìn)行保存,當(dāng)引擎再次啟動(dòng)時(shí)再一次顯示。地圖信息存儲(chǔ)在DRAM中,而DRAM是易失性存儲(chǔ)器,要求應(yīng)用更新電流來保持其數(shù)據(jù)。R2S25402FT集成了更新電流的電源電路,可利用8mA電流實(shí)現(xiàn)大約70%的高效率。這將有助于防止引擎停止工作時(shí)的電池消耗。

 。4)寬泛的電源電壓規(guī)格,有助于改進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)效率

  R2S25402FT具有3.4至35V的寬泛的電源電壓范圍,可利用車輛電池電壓直接工作。這將有助于簡化電源設(shè)計(jì),改進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)效率。

  <產(chǎn)品背景>

  近來,汽車導(dǎo)航系統(tǒng)已經(jīng)具備了各種功能和更高的性能,此外,還具備了更快的繪制地圖能力,預(yù)計(jì)這種趨勢在未來將繼續(xù)和增強(qiáng)。這種趨勢導(dǎo)致了信息處理量的顯著增加,以及對處理這類信息的處理負(fù)載的更強(qiáng)大處理器和更大存儲(chǔ)容量的需求,進(jìn)而導(dǎo)致了設(shè)備和模塊日益增長的功耗。與此同時(shí),安裝在一個(gè)受限空間中的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)需要元器件變得更小。面對這個(gè)背景,還有一種使汽車導(dǎo)航電源單元提供更高電源效率,以及更小安裝面積的器件需求。

  為了滿足這樣的市場需求,瑞薩科技開發(fā)了R2S25402FT,作為公司第一款專門用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源IC。

  <其他產(chǎn)品細(xì)節(jié)>

  在用于處理器和DRAM的每個(gè)電源電路的最后一級通常都包括兩個(gè)MOSFET。利用R2S25402FT可以將兩個(gè)MOSFET在外部連接起來,驅(qū)動(dòng)這些MOSFET輸出信號的控制電路已集成在片上。

  具有電流流入和流出能力的線性穩(wěn)壓器還集成了DRAM終端電阻電壓應(yīng)用,以及為DRAM備份模式提供電流的小型MOSFET。這些電路與采用64引腳QFP封裝的一個(gè)芯片高度集成在一起,從而可以減少系統(tǒng)的元件數(shù)和安裝面積,因此可滿足安裝空間受限的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)要求。

  工作在正常模式下的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)——正常工作模式——需要若干安培的大電流,而在引擎關(guān)閉狀態(tài)下的DRAM備份模式工作僅需要若干毫安的小電流,但是高電源效率對兩種模式都是基本的要求。利用R2S25402FT,外部MOSFET可在正常模式下驅(qū)動(dòng),而在DRAM備份模式的小電流工作期間,集成在R2S25402FT中的小型MOSFET被驅(qū)動(dòng)。這將有助于針對每種模式優(yōu)化開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,以實(shí)現(xiàn)高效率。

  其他功能還包括利用一個(gè)外部同步信號在350KHz和480KHz之間改變開關(guān)頻率的能力,根據(jù)元件性能和系統(tǒng)配置來實(shí)現(xiàn)最理想的設(shè)置。DRAM備份模式下的開關(guān)頻率固定在25kHz。

  瑞薩科技將繼續(xù)開發(fā)具有高水平集成和效率,以及功能增強(qiáng)的產(chǎn)品,以擴(kuò)展?jié)M足不斷發(fā)展的用戶需求的產(chǎn)品陣容。

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