瑞薩科技公司今天宣布，推出用于汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源控制ICR2S25402FT。樣品將從2007年9月開(kāi)始在日本交付。
R2S25402FT是瑞薩科技第一個(gè)專(zhuān)門(mén)為汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的電源IC，可以為執(zhí)行主要汽車(chē)導(dǎo)航處理的處理器和DRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等，以及DRAM終端電阻電壓電路提供電源電路，這些功能都集成在一個(gè)采用64引腳QFP封裝的芯片中。
R2S25402FT的主要功能概括如下。
�。�1）通過(guò)高度集成，與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比，安裝面積大約減少了20%
R2S25402FT為處理器和DRAM電源控制電路，以及作為DRAM終端電阻電源電路的線性穩(wěn)壓器提供了單芯片實(shí)現(xiàn)方法。這些電路以前需要組合幾個(gè)器件，現(xiàn)在可以使用單個(gè)R2S25402FT實(shí)現(xiàn)，有助于減少元件使用數(shù)量。
此外，與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比，采用64引腳QFP封裝可使安裝面積減少大約20%，可以使電源電路變得更小。
�。�2）有助于降低系統(tǒng)成本
作為DRAM終端電阻電源集成的內(nèi)部線性穩(wěn)壓器可以進(jìn)一步減少元件數(shù)量，有助于省去以前必要的元件，如電壓降壓型線圈、平流濾波電容器和驅(qū)動(dòng)FET，進(jìn)而削減
系統(tǒng)成本。
�。�3）當(dāng)引擎停止工作時(shí)，汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)可以進(jìn)入DRAM備份模式
R2S25402FT采用了一種DRAM備份模式*1。在汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)中，在引擎關(guān)閉之前，地圖信息等必須進(jìn)行保存，當(dāng)引擎再次啟動(dòng)時(shí)再一次顯示。地圖信息存儲(chǔ)在DRAM中，而DRAM是易失性存儲(chǔ)器，要求應(yīng)用更新電流來(lái)保持其數(shù)據(jù)。R2S25402FT集成了更新電流的電源電路，可利用8mA電流實(shí)現(xiàn)大約70%的高效率。這將有助于防止引擎停止工作時(shí)的電池消耗。
（4）寬泛的電源電壓規(guī)格，有助于改進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)效率
R2S25402FT具有3.4至35V的寬泛的電源電壓范圍，可利用車(chē)輛電池電壓直接工作。這將有助于簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，改進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)效率。
<產(chǎn)品背景>
近來(lái)，汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)已經(jīng)具備了各種功能和更高的性能，此外，還具備了更快的繪制地圖能力，預(yù)計(jì)這種趨勢(shì)在未來(lái)將繼續(xù)和增強(qiáng)。這種趨勢(shì)導(dǎo)致了信息處理量的顯著增加，以及對(duì)處理這類(lèi)信息的處理負(fù)載的更強(qiáng)大處理器和更大存儲(chǔ)容量的需求，進(jìn)而導(dǎo)致了設(shè)備和模塊日益增長(zhǎng)的功耗。與此同時(shí)，安裝在一個(gè)受限空間中的汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)需要元器件變得更小。面對(duì)這個(gè)背景，還有一種使汽車(chē)導(dǎo)航電源單元提供更高電源效率，以及更小安裝面積的器件需求。
為了滿足這樣的市場(chǎng)需求，瑞薩科技開(kāi)發(fā)了R2S25402FT，作為公司第一款專(zhuān)門(mén)用于汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源IC。
<其他產(chǎn)品細(xì)節(jié)>
在用于處理器和DRAM的每個(gè)電源電路的最后一級(jí)通常都包括兩個(gè)MOSFET。利用R2S25402FT可以將兩個(gè)MOSFET在外部連接起來(lái)，驅(qū)動(dòng)這些MOSFET輸出信號(hào)的控制電路已集成在片上。
具有電流流入和流出能力的線性穩(wěn)壓器還集成了DRAM終端電阻電壓應(yīng)用，以及為DRAM備份模式提供電流的小型MOSFET。這些電路與采用64引腳QFP封裝的一個(gè)芯片高度集成在一起，從而可以減少系統(tǒng)的元件數(shù)和安裝面積，因此可滿足安裝空間受限的汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)要求。
工作在正常模式下的汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)——正常工作模式——需要若干安培的大電流，而在引擎關(guān)閉狀態(tài)下的DRAM備份模式工作僅需要若干毫安的小電流，但是高電源效率對(duì)兩種模式都是基本的要求。利用R2S25402FT，外部MOSFET可在正常模式下驅(qū)動(dòng)，而在DRAM備份模式的小電流工作期間，集成在R2S25402FT中的小型MOSFET被驅(qū)動(dòng)。這將有助于針對(duì)每種模式優(yōu)化開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，以實(shí)現(xiàn)高效率。
其他功能還包括利用一個(gè)外部同步信號(hào)在350KHz和480KHz之間改變開(kāi)關(guān)頻率的能力，根據(jù)元件性能和系統(tǒng)配置來(lái)實(shí)現(xiàn)最理想的設(shè)置。DRAM備份模式下的開(kāi)關(guān)頻率固定在25kHz。
瑞薩科技將繼續(xù)開(kāi)發(fā)具有高水平集成和效率，以及功能增強(qiáng)的產(chǎn)品，以擴(kuò)展?jié)M足不斷發(fā)展的用戶需求的產(chǎn)品陣容。
