日本GE Toshiba Silicone上市了與原產(chǎn)品相比可將漏油量減小約75％的散熱用硅滑潤(rùn)油“TIG210BX”。設(shè)想用于微處理器或功率半導(dǎo)體等與散熱板等散熱部件的接合面，以提高散熱性。主要面向個(gè)人電腦、服務(wù)器、車(chē)載設(shè)備和電源模塊等。高溫環(huán)境下使用時(shí)半導(dǎo)體和散熱板的熱傳導(dǎo)性惡化——此前一直面臨的導(dǎo)致漏油的問(wèn)題，有望通過(guò)硅滑潤(rùn)油的使用而得以解決。熱傳導(dǎo)率為2.1W/m·K、熱阻抗在使用厚45μm的硅滑潤(rùn)油膜時(shí)為18mm2·K/W，確保了與原來(lái)的硅滑潤(rùn)油同等的性能。粘性指標(biāo)--張性為340，粘性低、易處理。預(yù)定在2006年4月19日～21日于幕張MESSE國(guó)際會(huì)展中心舉行的“第8屆散熱技術(shù)展”上展出。

　　散熱用硅滑潤(rùn)油在硅油中添加使用金屬氧化物的導(dǎo)電性微粒子。通過(guò)在散熱板和半導(dǎo)體間使用硅潤(rùn)滑油，散熱板和半導(dǎo)體的接合面上厚幾十μm的硅潤(rùn)滑油膜沒(méi)有任何間隙，半導(dǎo)體所產(chǎn)業(yè)的熱量可以高效地傳導(dǎo)給散熱板。不過(guò)，原來(lái)的硅潤(rùn)滑油在高溫設(shè)備上使用時(shí)，存在著硅油和填料向外泄漏的問(wèn)題。這樣一來(lái)，散熱板和半導(dǎo)體的接合面就會(huì)產(chǎn)生空孔，導(dǎo)致半導(dǎo)體向散熱板傳導(dǎo)熱量性能的惡化。而且還存在著泄漏出來(lái)的硅潤(rùn)滑油導(dǎo)致印刷電路板上的布線短路的問(wèn)題。因此，高溫環(huán)境下使用的設(shè)備中，大多使用散熱片來(lái)連接半導(dǎo)體和散熱板。不過(guò)，如果散熱板和半導(dǎo)體的接觸面如果存在凹凸的話(huà)，散熱片上就容易產(chǎn)業(yè)空孔，出現(xiàn)熱量難以散出的問(wèn)題。

　　此次的硅潤(rùn)滑油分別在硅油和填料上做了改進(jìn)。硅油改用不提高粘性也可減小滲漏的高分子結(jié)構(gòu)。填料方面，調(diào)整了金屬氧化物的表面處理，可在不凝結(jié)的前提下分散到硅油中。藉此確保了硅潤(rùn)滑油膜的散熱均勻性。

　　GE Toshiba Silicone已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成了可以比此次產(chǎn)品進(jìn)一步減小滲漏的散熱用硅潤(rùn)滑油“XS50-C2351”，如果有客戶(hù)需求的話(huà)，將隨即上市（圖1）。與原來(lái)相比，可減小漏油近90％。熱傳導(dǎo)率為1.5W/m·K，熱阻抗在膜厚50μm時(shí)為24mm2·K/W。張性為290，與340的TIG210BX相比，粘性要高出一些。