功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流組件，不過，在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。
功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容（CEI）的充電。
在計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，最常犯的一個(gè)錯(cuò)誤就是將MOSFET的輸入電容（CISS）和CEI混為一談，于是會(huì)使用下面這個(gè)公式去計(jì)算峰值柵極電流。
I = C(dv/dt)
實(shí)際上，CEI的值比CISS高很多，必須要根據(jù)MOSFET生產(chǎn)商提供的柵極電荷（QG）指標(biāo)計(jì)算。
QG是MOSFET柵極電容的一部分，計(jì)算公式如下：
QG = QGS + QGD + QOD
其中：
QG--總的柵極電荷
QGS--柵極-源極電荷
QGD--柵極-漏極電荷（Miller）
QOD--Miller電容充滿后的過充電荷
開關(guān)電源的原理就是將工頻交流變成直流，再將直流變換成高頻交流，通過開關(guān)變壓器，反饋穩(wěn)壓等過程變成你所需要的電壓的后，通過整流，濾波，再變換成直流的過程，而MOSFET在整個(gè)過程中通過其不斷的開與關(guān)，使高壓直流變換成高頻交流電的過程。
