單聲道功放

　　● D類單聲道功放
　　● 2歐姆負載時額定功率500瓦
　　● 4歐姆負載時額定功率300瓦
　　● 內(nèi)置P-Mostet半導體場效應(yīng)晶體管
　　● 可調(diào)低通,分頻斜率為24/OCT
　　● 可調(diào)超低音濾波20HZ-55HZ 24db/oct
　　● 可調(diào)低音增益0db-+12db   45HZ
　　● EBC外部低音控制
　　● 前置輸出
　　● 高電平輸入
　　● PWM MOS-FET 功率輸出
　　● 螺孔接線端子
 
　　二路功放

　　● AB類雙聲道功放
　　● 2歐姆負載時額定功率90*2瓦
　　● 4歐姆負載時額定功率60*2瓦
　　● 內(nèi)置高效TO3P半導體場效應(yīng)晶體管
　　● 可調(diào)高/低通,分頻斜率為 18/12DB/OCT
　　● 可將分頻斜率10倍放大
　　● 可調(diào)分音頻率 30-600 HZ（X1）或300-6000 HZ (X10)
　　● 立體聲/單聲道模式選擇（ST/MONO OUT）
　　● PWM MOS-FET 功率輸出
　　● 高電平輸入
　　● 螺孔接線端子

　　四路功放

　　● AB類四聲道功放
　　● 2歐姆負載時額定功率90*4瓦
　　● 4歐姆負載時額定功率60*4瓦
　　● 內(nèi)置高效TO3P半導體場效應(yīng)晶體管
　　● 后座有可調(diào)高/低通或全通，分頻斜率為18/12DB/OCT
　　● 前座有可調(diào)高通或全通，分頻斜率為12DB/OCT
　　● 輸入模式選擇（可選擇2聲道或4聲道輸入）
　　● 立體聲/單聲道模式選擇（ST/MONO OUT）
　　● 可調(diào)分音頻率 30－600 HZ
　　● MOS-FET 功率輸出
　　● 高電平輸入
　　● 螺孔接線端子